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Samsung MZ-V9P2T0 M.2 2000 GB PCI Express 4.0 V-NAND MLC NVMe
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#4285 en Computadora
Estilo: SSD interno
Número de artículo: 2100924452

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Samsung MZ-V9P2T0 M.2 2000 GB PCI Express 4.0 V-NAND MLC NVMe
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Número de artículo21009244522101237473210124467021012352152100901786
En oferta desde17.06.202323.08.202406.09.202420.08.202423.05.2023
Precio351,69 EUR360,29 EUR143,49 EUR204,09 EUR218,09 EUR
Peso28 g6 g0.12kg6 g6 g
FabricanteSamsungLexarCrucialLexarLexar
CategoríaHardware/ElectronicAccessoriesAccessoriesHardware/ElectronicAccessories
Factor de forma de disco SSDM.2 M.2 M.2 M.2 M.2
SDD, capacidad2 TB4 TB1 TB2 TB2 TB
InterfazPCI Express 4.0 PCI Express 4.0 PCI Express 4.0 PCI Express 4.0 PCI Express 4.0
NVMeSi Si Si Si Si
Componente paraPC/Consola de videojuegos PC PC/ordenador portátil PC PC/ordenador portátil
Más funcionesnand-tlcsin informaciónsin informaciónsin informaciónsin información

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Accesorios

Descripción:

Descripción:Samsung 990 PRO MZ-V9P2T0GW - SSD - verschlüsselt - 2 TB - intern - M.2 2280 - PCIe 4.0 x4 (NVMe) - 256-Bit-AES - TCG Opal Encryption 2.0 - integrierter Kühlkörper - für Sony PlayStation 5 Gruppe Festplatten Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. MZ-V9P2T0GW Modell 990 PRO MZ-V9P2T0GW EAN/UPC 8806094594652 Produktbeschreibung: Samsung 990 PRO MZ-V9P2T0GW - SSD - 2 TB - PCIe 4.0 x4 (NVMe) Typ Solid State Drive - intern Kapazität 2 TB Integrierter Kühlkörper Ja Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCIe 4.0 x4 (NVMe) Merkmale Schlafmodus, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, 2 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache, S.M.A.R.T., NVMe 2.0 Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 24.3 mm x 80 mm x 8.2 mm Gewicht 28 g Entwickelt für Sony PlayStation 5
Details: Allgemein Gerätetyp Solid State Drive - intern Kapazität
El disco duro sólido M.2 Samsung 990 PRO Heatsink NVMe PCIe 4.0 x 4 con una impresionante capacidad de almacenamiento de 2TB está diseñado para usuarios exigentes que buscan el máximo rendimiento tanto en juegos como en aplicaciones profesionales avanzadas como edición multimedia o transferencia masiva y rápida de archivos gracias a su tecnología avanzada PCI Express Gen 4 (hasta 7'450MB/s lectura secuencial y hasta 6'900MB/s escritura). El disipador térmico integrado garantiza una gestión óptima del calor incluso bajo cargas elevadas evitando caídas inesperadas del rendimiento por sobrecalentamiento prolongado durante largas sesiones intensivas. La innovadora tecnología V-NAND desarrollada por Samsung asegura máxima fiabilidad y resistencia junto con eficiencia energética superior incluso para dispositivos compactos tipo ultrabook o PCs pequeños; además incorpora cifrado avanzado por hardware AES-256bit protegiendo eficazmente los datos más sensibles frente accesos no autorizados externos e internos potenciales. Como líder mundial reconocido desde hace décadas por su innovación tecnológica continua y altos estándares cualitativos dentro del sector memoria digital profesional y doméstica; cabe destacar también el firme compromiso medioambiental asumido por parte del fabricante coreano mediante procesos industriales sostenibles así como selección responsable materiales reduciendo significativamente huella ecológica global producto tras producto ' beneficio real tanto para nuestro planeta como para usted mismo al elegir esta unidad sólida premium fabricada bajo estrictas políticas verdes responsables puede estar seguro/a no solo disfrutar lo último tecnología sino contribuir activamente bienestar común apostando consumo consciente positivo.
N° de fabricante: MZ-V9P2T0GW
Seguridad del producto

Especificaciones técnicas

Idioma:

Peso y dimensiones

Profundidad8,2 mm
Peso28 g
Ancho80 mm
Altura24,3 mm

Condiciones ambientales

Intervalo de temperatura operativa0 - 70 °C
Golpes en funcionamiento1500 G

Control de energía

Voltaje de operación3,3 V
Consumo de energía (max)8,5 W
Consumo de energía (promedio)5,4 W

Características

Versión NVMe2.0
Velocidad de lectura7450 MB/s
Velocidad de escritura6900 MB/s
Tipo de memoriaV-NAND MLC
Tiempo medio entre fallos1500000 h
Tamaño de la unidad SSD M.22280 (22 x 80 mm)
Soporte TRIMSi
Soporte S.M.A.R.T.Si
SDD, capacidad2 TB
NVMeSi
Lectura aleatoria (4KB)1400000 IOPS
InterfazPCI Express 4.0
Función DevSleepSi
Factor de forma de disco SSDM.2
Escritura aleatoria (4KB)1550000 IOPS
Encriptación de hardwareSi
Componente paraPC/Consola de videojuegos
Algoritmos de seguridad soportados256-bit AES

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