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Samsung MZ-VAP2T0 2 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC
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Rango de ventas: #31 en SSD interno
#4909 en Computadora
Estilo: SSD interno
Número de artículo: 2101363931

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Samsung MZ-VAP2T0 2 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC
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Número de artículo21013639312100717084210090178521004358402100901786
En oferta desde11.03.202519.10.202223.05.202303.11.202123.05.2023
Precio385,09 EUR296,29 EUR140,49 EUR542,59 EUR203,99 EUR
Peso9 g8 g6 g7,5 g6 g
FabricanteSamsungSamsungLexar MediaWestern JubileeLexar
CategoríaAccessoriesHardware/ElectronicHardware/ElectronicHardware/ElectronicAccessories
SDD, capacidad2 TB2 TB1 TB2 TB2 TB
Factor de forma de disco SSDM.2 M.2 M.2 M.2 M.2
InterfazPCI Express 5.0 PCI Express 4.0 PCI Express 4.0 PCI Express 3.0 PCI Express 4.0
NVMeSi Si Si Si Si
Componente paraPC/ordenador portátil PC PC/ordenador portátil NAS PC/ordenador portátil
Velocidad de lectura14700 MB/s7450 MB/s7400 MB/s3400 MB/s7400 MB/s
Velocidad de escritura13400 MB/s6900 MB/s6500 MB/s2900 MB/s6500 MB/s
Tiempo medio entre fallos1500000 h1500000 h1500000 h1750000 h1500000 h
Ancho80,2 mm80 mm22 mm22 mm22 mm
Profundidad2,38 mm2,3 mm80 mm80 mm80 mm
Altura22,1 mm22 mm2,45 mm2,38 mm2,45 mm
Intervalo de temperatura operativa0 - 70 °C0 - 70 °C0 - 70 °C0 - 70 °C0 - 70 °C

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Accesorios

Descripción:

Descripción:Das Samsung 9100 PRO MZ-VAP2T0 bietet Leistung mit einer Speicherkapazität von 2 TB. Durch die Verwendung der Samsung V-NAND TLC-Technologie und der Intelligent TurboWrite 2.0-Technologie gewährleistet dieses interne Solid-State-Laufwerk Hochgeschwindigkeits-Datenübertragungen mit internen Datenraten von bis zu 14.700 MB/s beim Lesen und 13.400 MB/s beim Schreiben. Der M.2 2280-Formfaktor macht es zu einer kompakten Wahl für verschiedene Geräte und verbessert die Gesamtreaktionsfähigkeit des Systems. Das La
PCIe 5.0 x4, NVMe 2.0, M.2 2280
Kapazität: 2 TB
Datentransferrate: Lesen: 14.700 MB/s, Schreiben: 13.400 MB/s
IOPS: Lesen: 1.850.000, Schreiben: 2.600.000
La unidad SSD M.2 de 2 TB Samsung 9100 PRO NVMe PCIe 5.0 retail es una solución avanzada para quienes buscan el máximo rendimiento y fiabilidad en almacenamiento digital: gracias a su interfaz PCI Express Gen5 y tecnología NVMe líder del sector ofrece velocidades ultrarrápidas ideales para juegos exigentes, edición profesional o análisis masivo de datos empresariales; sus dos terabytes permiten guardar grandes volúmenes sin sacrificar espacio ni velocidad mientras que las funciones avanzadas como cifrado por hardware AES de 256 bits protegen tu información frente a accesos no autorizados; como referente mundial tecnológico comprometido con la sostenibilidad ambiental mediante procesos productivos responsables y materiales reciclables ' al elegir este producto contribuyes tanto al progreso tecnológico personal como al bienestar ecológico global realizando una compra consciente y positiva para el planeta
N° de fabricante: MZ-VAP2T0BW
Seguridad del producto

Especificaciones técnicas

Idioma:

Características

Versión NVMe2.0
Velocidad de lectura14700 MB/s
Velocidad de escritura13400 MB/s
Tipo de memoriaV-NAND TLC
Tiempo medio entre fallos1500000 h
Tamaño de la unidad SSD M.22280 (22 x 80 mm)
Soporte TRIMSi
Soporte S.M.A.R.T.Si
SDD, capacidad2 TB
NVMeSi
Lectura aleatoria (4KB)1850000 IOPS
InterfazPCI Express 5.0
Función DevSleepSi
Factor de forma de disco SSDM.2
Escritura aleatoria (4KB)2600000 IOPS
Encriptación de hardwareSi
Componente paraPC/Consola de videojuegos
Carriles datos de interfaz PCI Expressx4
Algoritmos de seguridad soportados256-bit AES

Otras características

Periodo de garantía5 año(s)

Empaquetado

Tipo de embalajeCaja

Control de energía

Voltaje de operación3,3 V
Consumo eléctrico promedio (lectura)8,1 W
Consumo eléctrico promedio (escritura)7,9 W
Consumo de potencia DevSlp (modo sueño)4 mW
Consumo de energía (lectura)8,1 W
Consumo de energía (espera)0,005 W
Consumo de energía (escritura)7,9 W

Condiciones ambientales

Intervalo de temperatura operativa0 - 70 °C
Golpes en funcionamiento1500 G

Peso y dimensiones

Profundidad2,38 mm
Peso9 g
Ancho80,2 mm
Altura80,2 mm

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