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Samsung MZ-V9P2T0 2 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND MLC
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Stil: interne Festplatten SSD
Artikel Nr.: 2100924452

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Samsung Mz-v9p2t0 M.2 2 Tb Pci Express 4.0 Nvme V-nand Mlc
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Artikelnummer21009244522101237473210124467021012352152100901786
Im Angebot seit17.06.202323.08.202406.09.202420.08.202423.05.2023
Preis351,69 EUR360,29 EUR143,49 EUR204,09 EUR218,09 EUR
Gewicht28 g6 g0.12kg6 g6 g
HerstellerSamsungLexarCrucialLexarLexar
KategorieHardware/ElectronicAccessoriesAccessoriesHardware/ElectronicAccessories
SSD-FormfaktorM.2 M.2 M.2 M.2 M.2
SSD Speicherkapazität2 TB4 TB1 TB2 TB2 TB
SchnittstellePCI Express 4.0 PCI Express 4.0 PCI Express 4.0 PCI Express 4.0 PCI Express 4.0
NVMeJa Ja Ja Ja Ja
Komponente fürPC/Spielekonsole PC PC/Laptop PC PC/Laptop
weitere Featuresnand-tlckeine Angabekeine Angabekeine Angabekeine Angabe

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Beschreibung:

Beschreibung:Samsung 990 PRO MZ-V9P2T0GW - SSD - verschlüsselt - 2 TB - intern - M.2 2280 - PCIe 4.0 x4 (NVMe) - 256-Bit-AES - TCG Opal Encryption 2.0 - integrierter Kühlkörper - für Sony PlayStation 5 Gruppe Festplatten Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. MZ-V9P2T0GW Modell 990 PRO MZ-V9P2T0GW EAN/UPC 8806094594652 Produktbeschreibung: Samsung 990 PRO MZ-V9P2T0GW - SSD - 2 TB - PCIe 4.0 x4 (NVMe) Typ Solid State Drive - intern Kapazität 2 TB Integrierter Kühlkörper Ja Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCIe 4.0 x4 (NVMe) Merkmale Schlafmodus, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, 2 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache, S.M.A.R.T., NVMe 2.0 Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 24.3 mm x 80 mm x 8.2 mm Gewicht 28 g Entwickelt für Sony PlayStation 5
Details: Allgemein Gerätetyp Solid State Drive - intern Kapazität
Die Samsung 990 PRO Heatsink NVMe PCIe 4.0 x4 M.2 SSD mit einer beeindruckenden Kapazität von 2 TB ist für höchste Leistungsanforderungen im Bereich Gaming und professionelle Anwendungen konzipiert. Dank modernster PCIe-Gen4-Technologie erreicht sie atemberaubende sequentielle Lesegeschwindigkeiten von bis zu 7.450 MB/s und Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 6.900 MB/s ' perfekt geeignet für anspruchsvolle Aufgaben wie Videobearbeitung oder große Datenübertragungen sowie das ultimative Gaming-Erlebnis der nächsten Generation. Der integrierte Kühlkörper sorgt auch bei starker Beanspruchung für optimale Temperaturkontrolle und verhindert Leistungseinbußen durch Überhitzung. Samsungs fortschrittliche V-NAND-Technologie steht für Zuverlässigkeit und Langlebigkeit bei gleichzeitig hoher Speichereffizienz ' ideal auch für kompakte Geräte wie Ultrabooks oder platzsparende Desktop-PCs geeignet. Die Hardware-basierte AES-256-Bit-Verschlüsselung bietet zusätzlichen Schutz sensibler Daten. Als weltweit führender Hersteller im Speicherbereich überzeugt Samsung durch Innovationskraft und höchste Qualitätsstandards seiner Produkte auf ganzer Linie. Das Unternehmen engagiert sich aktiv für Nachhaltigkeit: umweltfreundliche Produktionsverfahren sowie verantwortungsbewusste Materialbeschaffung reduzieren den ökologischen Fußabdruck während des gesamten Produktlebenszyklus erheblich ' ein Vorteil sowohl für die Umwelt als auch den Kunden selbst! Mit dem Kauf dieser SSD leisten Sie einen wertvollen Beitrag zum Umweltschutz und profitieren zugleich von Spitzentechnologie eines vertrauenswürdigen Herstellers.
Herstellernummer: MZ-V9P2T0GW
Details zur Produktsicherheit

Technische Daten

Allgemeine Daten
Breite in mm22
Höhe in mm80
Tiefe in mm8,2
Ausstattung(en)
NAND-Typ3D TLC
Speicherkapazität in GB2000
Bauart
FormfaktorM.2
SchnittstellePCIe 4.0 x4
Art SpeicherSSD
Leistungsdaten
Random Lesegeschwindigkeit (IOPS)140000
Random Schreibgeschwindigkeit (IOPS)1550000
Sequenzielle Lesegeschwindigkeit (MB/s)7450
Sequenzielle Schreibgeschwindigkeit (MB/s)6900
Produkt-Features Festplatten
Feature 2nand-tlc

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